삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노미터(m)( 1나노m=10억분의 1m)파운드리(위탁생산) 제품 출하식을 가졌다. 이로써 세계 반도체 시장에서 '3나노 시대'를 처음으로 열었다.
파운드리 후발 주자인 삼성전자가 시장 진출 18년 만에 기술력으로 1위 기업 대만 TSMC를 추월한 것으로 초미세 공정 주도권이 삼성전자로 넘어오는 계기가 됐다는 평가가 나온다.
이날 오전 경기도 화성캠퍼스 V1라인에서 열린 행사에는 산업통상자원부 이창양 장관, 동진쎄미켐과 솔브레인 등 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.
삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.
삼성전자 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감하고, 성능은 23% 향상하며, 면적은 16% 축소했다. GAA 2세대 공정은 전력은 50% 절감하고 성능은 30% 향상하며 면적은 35% 축소했다고 삼성전자는 밝혔다.
삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. 삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.
경계현 DS부문장 대표이사는 이날 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"면서 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 말했다.
내 반도체 장비 업체 원익IPS 이현덕 대표이사는 "삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다"면서 "앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다"고 밝혔다.국내 팹리스 업체 텔레칩스 이장규 대표이사는 "텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다"면서 "삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다"고 말했다.
박준환 기자 naulboo@gmail.com
